日本AMAYA天谷制作所株式會社半導體單晶圓器A200V
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日本AMAYA天谷制作所株式會社半導體單晶圓器A200V
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簡單介紹
日本AMAYA天谷制作所株式會社半導體單晶圓器A200V采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置A200V薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)抑制粒子生成緊湊的設備配置良好的階躍覆蓋率低溫工藝支持提高可維護性提高**性特征在這種方法中,晶圓沉積表面被上卡盤夾住,晶圓朝向底部,工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性,并提供出色的厚度均勻性,同時防止氣體包圍晶圓背面,防止背面沉積并防止
日本AMAYA天谷制作所株式會社半導體單晶圓器A200V 的詳細介紹
日本AMAYA天谷制作所株式會社
半導體單晶圓器A200V

采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置
A200V
薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)
抑制粒子生成
緊湊的設備配置
良好的階躍覆蓋率
特征
性能
均勻的薄膜厚度 | ≦±2% |
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支持的晶圓尺寸 | ≦8英寸 |
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氣體種類 | SiH4, O 2, PH 3, B 2 H6, N 2(TEOS, TEB, TMOP,O3可選) |
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薄膜沉積溫度 | 300°C~450°C |
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生產(chǎn)力 | 20張/小時(500nm成膜) |
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主要規(guī)格
設備尺寸 | 890毫米(寬) x 2300毫米(深) x 2250毫米(高) |
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加熱機構 | 電阻加熱 |
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裝載卸載 | 雙滑塊,機器人CtoC運輸 |
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分散頭(氣體噴嘴) | 圈 |
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