日本AMAYA株式會(huì)社天谷制作常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備
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日本AMAYA株式會(huì)社天谷制作用于剛性和柔性設(shè)備（如FPD）的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備用于剛性和柔性設(shè)備（如FPD）的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備低溫（150~300°C）處理高質(zhì)量 SiO2 成膜低應(yīng)力、等離子體損傷、小顆粒占地面積小，降低了安裝和維護(hù)成本，無(wú)需真空或等離子處理低價(jià)特征這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，與FPD等剛性和柔性器件兼容。配備兩個(gè)氣頭，有效成膜寬度為760mm，吸
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日本AMAYA株式會(huì)社天谷制作
用于剛性和柔性設(shè)備（如FPD）的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備
用于剛性和柔性設(shè)備（如FPD）的常壓CVD設(shè)備
玻璃基板沉積設(shè)備
特征
這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，與FPD等剛性和柔性器件兼容。
配備兩個(gè)氣頭，有效成膜寬度為760mm，吸附式加熱階段為吸附式加熱階段，溫度可控性±2%以內(nèi)。
可以在4°C下在5.250代玻璃基板上以100片/小時(shí)或更高的速度沉積2nm SiO25薄膜，并且可以保證薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。
性能
| 均勻的薄膜厚度 | ±10% |
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| 支持的玻璃基板尺寸 | 4.5 代 |
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| 氣體種類 | SiH4，O 3， PH3， B2H6 |
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| 薄膜沉積溫度 | 150~300°C |
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主要規(guī)格
| 設(shè)備尺寸 | 1300毫米（寬） x 7350毫米（深） x 2000毫米（高） |
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| 氣頭 | 配備兩個(gè)有效寬度為 760 mm 的氣頭，用于沉積 |
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