高溫階段“基板加熱”1800℃
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高溫階段“基板加熱”1800℃
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簡(jiǎn)單介紹
日本thermocera高溫階段“基板加熱"1800℃加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型
高溫階段“基板加熱”1800℃ 的詳細(xì)介紹
日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置
可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型
總覽
基板加熱階段需要加熱階段，例如垂直提升機(jī)構(gòu)（基板支架和加熱頭中的一個(gè)或兩個(gè)），基板旋轉(zhuǎn)，RF / DC基板偏壓（反向飛濺RF / DC清潔）和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備（氣相沉積設(shè)備，濺射，CVD設(shè)備）的所有要求。
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應(yīng)用/用例
?半導(dǎo)體制造，薄膜的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，RF / DC反濺射，PECVD，RIE等
?用熱臺(tái)（800℃說明書→修飾以醉高1600℃）更換現(xiàn)有設(shè)備的加熱機(jī)構(gòu)
?新工藝評(píng)價(jià)機(jī)器，樣機(jī)，等
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加熱部位規(guī)格
?NiCr加熱器
?Inconel加熱器
?鎢加熱器
?鉬加熱器
?鹵素?zé)艏訜崞?br />
?石墨加熱器
?C / C復(fù)合加熱器
?各種涂層加熱器（PG，PBN，SiC涂層，玻璃碳）
*工作溫度和數(shù)據(jù)均為“陶瓷頂”?請(qǐng)參閱“加熱器”。
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各部分名稱
熱舞臺(tái)結(jié)構(gòu)
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日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
