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化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應(yīng)用|埃登威自動化系統(tǒng)設(shè)備(上海)有限公司

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應(yīng)用

化學氣相沉積(CVD)是生產(chǎn)高質(zhì)量固體薄膜和涂層的有力技術(shù)。雖然在現(xiàn)代工業(yè)中已經(jīng)廣泛使用,但由于適應(yīng)了新材料,所以還在發(fā)展。如今,通過**制造2D材料的無機膜和可以共形沉積在各種基底上的高純度聚合物膜,CVD合成技術(shù)被推向了一個新的高度。


原理:將兩種或兩種以上的氣態(tài)原料引入一個反應(yīng)室,然后它們相互反應(yīng)形成一種新的材料,沉積在基底表面。反應(yīng)物主要是金屬氯化物,它首先被加熱到一定溫度以達到足夠高的蒸汽壓,然后與載氣(通常是Ar或H2)一起被送入反應(yīng)器。如果某種金屬不能形成高壓氯化物蒸汽,就會被有機金屬化合物取代。在反應(yīng)器中,涂層材料或者用金屬絲懸掛,放置在平面上,或者沉入粉末流化床中,或者本身就是流化床中的顆粒。當發(fā)生在化學反應(yīng)器中時,產(chǎn)物會沉積在涂層材料表面,廢氣多為HCl或HF,導致堿吸收或冷阱。除了需要獲得的固體沉積物,化學反應(yīng)的產(chǎn)物必須是氣體沉積物,它們的飽和蒸汽壓要足夠低,以使它們在整個反應(yīng)和沉積過程中保持在加熱的基底上。反應(yīng)過程:1。反應(yīng)氣體擴散到襯底表面;2.反應(yīng)氣體被吸附在襯底表面;3.表面發(fā)生化學反應(yīng)、表面運動、成核和薄膜生長;4.產(chǎn)品從表面解吸;5.產(chǎn)品在表面擴散。選擇的化學反應(yīng)通常應(yīng)滿足以下要求:①反應(yīng)物質(zhì)在室溫或不太高的溫度下應(yīng)為氣態(tài),或具有高蒸汽壓和高純度;②通過沉積反應(yīng)可以形成所需的材料沉積層;③反應(yīng)在沉積溫度下容易控制,反應(yīng)物必須有足夠高的蒸氣壓。
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因為CVD中使用的原料大多是特殊氣體,比較危險,所以需要對這些氣體使用特殊的氣體系統(tǒng)。沉積的氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子。它是由硅烷和氮氣反應(yīng)形成的,而硅烷(SiH4)是一種劇毒的特殊氣體,在室溫下可以點燃,在空氣或鹵素氣體中會發(fā)生爆炸燃燒。因此,需要使用專用的氣柜來保證硅烷的**使用。

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后往往需要監(jiān)控微量氧和微量水含量,這時候可以使用ADEV的在線微量氧分析儀和微量水分析儀,

ADVE在線微量氧分析儀G1501技術(shù)特點:

■快速響應(yīng)和恢復(fù)時間
■**、直接且易于使用的用戶界面
■前面板傳感器入口
■校準氣體的能力
■緊湊簡單的外形化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應(yīng)用
■改進的溫度指數(shù)
■不受流量變化的影響。
■不需要零點氣體和輔助氣體。
■不受碳氫化合物和其他氧化氣體的影響。
■ RFI保護
■免維護。
■節(jié)約成本
■液晶數(shù)字顯示器
■ RS232雙向通信
ADVE在線微量氧分析儀G1501技術(shù)參數(shù)
測試范圍范圍:0-10ppm、0-100ppm和0-1000ppm,0-1%,0-25%的范圍。
空氣校準范圍:0-25%
可選范圍:0-1ppm
*小分辨率范圍的0.5%或50ppb化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應(yīng)用
恒溫下重復(fù)精度為滿量程的1%(對于小于10ppm的范圍,重復(fù)精度為滿量程的3%)
工作溫度32華氏度-113華氏度(0 -45攝氏度)
日溫度指數(shù)為32 ℉ -113 ℉ (0 -45℃),小于測量范圍的3°。
90%響應(yīng)時間100ppm-25%小于10秒
警報(標準)2個觸點,氧氣濃度完全可調(diào)
c形繼電器觸點3A,100伏
故障固態(tài)繼電器觸點3A,100伏
雙路輸出信號0-1VDC和隔離4-20mA
100/117/230伏交流電10% 50/60赫茲電源


ADEV在線微量水分析儀技術(shù)參數(shù):

0-10/100/1000ppm/1%

4-20mA模擬輸出

220V或24V可選

氧化鋁工作原理


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