多晶硅生產(chǎn)工藝中選用意大利ADEV進(jìn)口便攜式微量氧分析儀露點(diǎn)儀測(cè)量
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。
利用價(jià)值：從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。其他產(chǎn)品：微量氧分析儀,藥品殘氧儀,露點(diǎn)儀,熱導(dǎo)氣體分析儀,GE流量計(jì),OX-1氧傳感器,頂空分析儀,紅外氣體分析儀,高溫濕度儀,西門(mén)子U23分析儀,ppb微量水分析儀,OXY.IQ氧分析儀,煙氣濕度儀,燃?xì)鉄嶂祪x,Kaye溫度驗(yàn)證儀,L&W白度,儀激光氧分析儀,壓縮空氣露點(diǎn)儀,干燥機(jī)露點(diǎn)儀,激光氣體分析儀,便攜式露點(diǎn)儀,便攜式微量氧分析儀
工藝流程如下：多晶硅生產(chǎn)工藝中選用意大利ADEV進(jìn)口便攜式微量氧分析儀露點(diǎn)儀測(cè)量
1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅，
其化學(xué)反應(yīng)SiO2+C→Si+CO2↑
（2）為了滿(mǎn)足高純度的需要，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無(wú)水氯化氫(HCl)與之反應(yīng)在一個(gè)流化床反應(yīng)器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。
其化學(xué)反應(yīng)Si+HCl→SiHCl3+H2↑多晶硅生產(chǎn)工藝中選用意大利ADEV進(jìn)口便攜式微量氧分析儀露點(diǎn)儀測(cè)量
反應(yīng)溫度為300度，該反應(yīng)是放熱的。同時(shí)形成氣態(tài)混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
（3）**步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解:過(guò)濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態(tài)Н2,НС1返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級(jí)精餾）。
（4）凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。
其化學(xué)反應(yīng)SiHCl3+H2→Si+HCl。多晶硅生產(chǎn)工藝中選用意大利ADEV進(jìn)口便攜式微量氧分析儀露點(diǎn)儀測(cè)量
多晶硅的反應(yīng)容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長(zhǎng)度1.5-2米，數(shù)量80根），在1050-1100度在棒上生長(zhǎng)多晶硅，直徑可達(dá)到150-200毫米。
這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反應(yīng)，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離，或再利用，或返回到整個(gè)反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該3工藝的競(jìng)爭(zhēng)力。
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